SI1304BDL-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SI1304BDL-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 0.9A SC-70-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SC-70-3 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 900mA, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 340mW (Ta), 370mW (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Andere Namen | SI1304BDL-T1-GE3TR SI1304BDLT1GE3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 4.5V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 900mA (Tc) 340mW (Ta), 370mW (Tc) Surface Mount SC-70-3 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 900mA (Tc) |
SI1304BDL-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI1304BDL-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SI1303EDL-T1-GE3 VISHAY
MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI1304BDL-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Zielpreis (USD)
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